STGB18N40LZT4

Ном. номер: 8001786207
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STGB18N40LZT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STGB18N40LZT4Фото 3/3 STGB18N40LZT4
84 руб.
67 руб.
616 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 68 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
190 руб. 8 дней, 660 шт. 5 шт. 5 шт.
210 руб. 23 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 160 руб.
от 5 шт. — 120 руб.
от 10 шт. — 103 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263

транз: IGBT N-MOSFET
Корпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 420 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 150 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
9.35мм
Высота
4.6мм
Число контактов
3
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
16V
Тип канала
N
Вес, г
1.93

Дополнительная информация

Datasheet STGB18N40LZT4
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов