STGB18N40LZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
640 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002007448
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание IGBT транзистор -- Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Base Part Number | STG*18N |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Gate Charge | 29nC |
| IGBT Type | - |
| Input Type | Logic |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150W |
| Series | PowerMESHв(ў |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | - |
| Td (on/off) @ 25В°C | 650ns/13.5Вµs |
| Test Condition | 300V, 10A, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420V |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 420 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 16V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 420 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -12 V, 16 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | STGB18N40LZT4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.93 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGB18N40LZT4
pdf, 891 КБ
Datasheet STGD18N40LZT4
pdf, 561 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
