STGE200NB60S

Ном. номер: 8001786259
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STGE200NB60S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STGE200NB60SФото 3/3 STGE200NB60S
1 610 руб.
184 шт. со склада г.Москва
от 4 шт. — 1 410 руб.
от 14 шт. — 1 338 руб.
от 40 шт. — 1 298 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 340 руб. 4 дня, 86 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 2 100 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Модули IGBT

кол-во в упаковке: 10

IGBT транзистор - [ISOTOP]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 150 А; Uкэ.нас: 1.2 В
Кол-во ключей в модуле 1.2, Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 200 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
200 A
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
25.5мм
Высота
9.1мм
Число контактов
4
Размеры
38.2 x 25.5 x 9.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Package Length
38.2(Max)
Package Width
25.5(Max)
PCB changed
4
Package Height
9.1(Max)
Mounting
Screw
Channel Type
N
Configuration
Single Dual Emitter
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
600
Maximum Power Dissipation (mW)
600000
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Collector Current (A)
200
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
4
Supplier Package
ISOTOP
Standard Package Name
ISOTOP
Military
No
Вес, г
43.99

Дополнительная информация

Datasheet STGE200NB60S
Datasheet STGE200NB60S
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов