PZTA42.115

Ном. номер: 8001786281
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 PZTA42.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 PZTA42.115Фото 3/4 PZTA42.115Фото 4/4 PZTA42.115
10 руб.
24184 шт. со склада г.Москва
от 590 шт. — 7.80 руб.
от 2000 шт. — 7.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 205 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
58 руб. 3-4 недели, 69 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 57 руб.
от 30 шт. — 55.10 руб.
74 руб. 2-4 недели, 3168 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 55 руб.
40 руб. 8 дней, 400 шт. 25 шт. 25 шт.
от 50 шт. — 30 руб.
от 125 шт. — 22 руб.
от 250 шт. — 20.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 40

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
50 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Вес, г
0.262

Дополнительная информация

Datasheet PZTA42.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.