PZTA42.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 157 шт.
от 358 шт. —
19 руб.
от 1507 шт. —
16.72 руб.
Добавить в корзину 157 шт.
на сумму 3 611 руб.
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги1
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный SOT223
Технические параметры
Корпус | TO261 | |
кол-во в упаковке | 1000 | |
Pd - рассеивание мощности | 1200 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1.7 mm | |
Длина | 6.7 mm | |
Другие названия товара № | 933982060115 | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA, 10 V, 40 at 10 mA, 10 V, 40 at 30 m | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 1 mA, 10 V | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-223-3 | |
Ширина | 3.7 mm | |
Brand | Nexperia | |
Collector- Base Voltage VCBO | 300 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 300 V | |
Configuration | Single | |
DC Current Gain HFE Max | 25 at 1 mA, 10 V | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz | |
Manufacturer | Nexperia | |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Package / Case | SOT-223-3 | |
Packaging | Cut Tape or Reel | |
Part # Aliases | PZTA42 T/R | |
Pd - Power Dissipation | 1200 mW | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Subcategory | Transistors | |
Transistor Polarity | NPN | |
Maximum Collector Base Voltage | 300 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
Maximum Operating Frequency | 50 MHz | |
Maximum Power Dissipation | 1.2 W | |
Minimum DC Current Gain | 40 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223(SC-73) | |
Pin Count | 4 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | NPN | |
Collector Emitter Voltage Max | 300В | |
Continuous Collector Current | 100мА | |
DC Current Gain hFE Min | 40hFE | |
Power Dissipation | 1.2Вт | |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 | |
Вес, г | 0.262 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 48 КБ
Datasheet PZTA42,115
pdf, 275 КБ
Datasheet PZTA42.115
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов