IRLR3114ZPBF

Ном. номер: 8001786342
PartNumber: IRLR3114ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLR3114ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLR3114ZPBFФото 3/3 IRLR3114ZPBF
110 руб.
1566 шт. со склада г.Москва
от 75 шт. — 92.70 руб.
от 150 шт. — 87.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
123 руб. 3-5 недель, 607 шт. 1 шт. 1 шт.
170 руб. 42 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 90 руб.
от 10 шт. — 78 руб.
86 руб. 4 дня, 50 шт. 1 шт. 32 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.9 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
130 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
40 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3810 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
0.601

Техническая документация

IRLR3114ZPBF datasheet
pdf, 337 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.