STP5NK100Z

Ном. номер: 8001786344
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP5NK100Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STP5NK100ZФото 3/4 STP5NK100ZФото 4/4 STP5NK100Z
80 руб.
794 шт. со склада г.Москва
от 68 шт. — 65.90 руб.
от 300 шт. — 62.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 59 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 37 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 160 руб.
от 5 шт. — 112 руб.
от 10 шт. — 95 руб.
86 руб. 6 дней, 97 шт. 1 шт. 20 шт.
от 50 шт. — 75 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 3.5 А; Rси(вкл): 4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.7 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3.5 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
22,5 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
51,5 нс
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.7 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1154 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Process Technology
SuperMESH
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
1000
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
3.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3700@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
42@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
42
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1154@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Typical Fall Time (ns)
19
Typical Rise Time (ns)
7.7
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
51.5
Typical Turn-On Delay Time (ns)
22.5
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
2.72

Дополнительная информация

Datasheet STP5NK100Z
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов