BC846BW.115

Ном. номер: 8001786352
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/7 BC846BW.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 BC846BW.115Фото 3/7 BC846BW.115Фото 4/7 BC846BW.115Фото 5/7 BC846BW.115Фото 6/7 BC846BW.115Фото 7/7 BC846BW.115
2 руб.
41378 шт. со склада г.Москва
от 4600 шт. — 1 руб.
от 9000 шт. — 0.96 руб.
от 21000 шт. — 0.91 руб.
Мин. кол-во для заказа 4099 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 9723 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
2.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
UMT
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.041

Техническая документация

BC846_SER
pdf, 115 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC846BW.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов