STD1NK80ZT4

Ном. номер: 8001786369
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STD1NK80ZT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STD1NK80ZT4Фото 3/5 STD1NK80ZT4Фото 4/5 STD1NK80ZT4Фото 5/5 STD1NK80ZT4
19 руб.
3037 шт. со склада г.Москва
от 264 шт. — 17 руб.
от 547 шт. — 16.20 руб.
от 1149 шт. — 15.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
65 руб. 6 дней, 5077 шт. 1 шт. 6 шт.
от 94 шт. — 23 руб.
от 187 шт. — 20 руб.
от 374 шт. — 18 руб.
54 руб. 3-4 недели, 1406 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 39 руб.
от 30 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 33.20 руб.
150 руб. 3 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 90 руб.
от 3 шт. — 67 руб.
50 руб. 3-5 недель, 112 шт. 1 шт. 3 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 1 А; Rси(вкл): 13...16 Ом; @Uзатв(ном): 7...10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
22 ns
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
16 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
0.58

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов