BSM25GD120DN2BOSA1

Ном. номер: 8001786771
PartNumber: BSM25GD120DN2BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
BSM25GD120DN2BOSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 440 руб.
15 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 7 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 440 руб.
Купить в 1 клик
IGBT силовой модуль

кол-во в упаковке: 10

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Type: IGBT Module; Voltage, Vces: 1200V; Current, Ic Continuous a Max: 25A; Voltage, Vce Sat Max: 3V; Power Dissipation: 200W; Case Style: Econopack 2; Termination Type: Solder; Current, Icm Pulsed: 50A; Power, Pd: 200W; Temperature, Current: 80°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 6; Voltage, Vce Sat Typ: 2.5V; Voltage, Vceo: 1200V

Технические параметры

Вес, г
216

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.