IRFS3107PBF

Ном. номер: 8001786828
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRFS3107PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRFS3107PBFФото 3/5 IRFS3107PBFФото 4/5 IRFS3107PBFФото 5/5 IRFS3107PBF
150 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
260 руб. 3 дня, 130 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 180 руб.
от 40 шт. — 172 руб.
от 70 шт. — 168.43 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ

MOSFET, N-CH, 75V, D2PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 75V; Current, Id Cont: 230A; Resistance, Rds On: 2.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 2.35V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD; Temperature, Operating Range: -55°C to +175°C; Capacitance, Ciss Typ: 9370pF; Current, Idm Pulse: 900A; Power, Pd: 370W; Time, trr Typ: 54ns; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
370
Крутизна характеристики S,А/В
230
Температура, С
-55...+175
Корпус
D2Pak
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
230 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
370 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
99 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
160 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9370 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.383

Техническая документация

IRFS3107PBF datasheet
pdf, 390 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFS3107PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов