IRFR4105ZPBF

Ном. номер: 8001786888
PartNumber: IRFR4105ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFR4105ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFR4105ZPBFФото 3/4 IRFR4105ZPBFФото 4/4 IRFR4105ZPBF
18 руб.
4619 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 247 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 275 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 90 руб.
от 5 шт. — 52 руб.
от 10 шт. — 40 руб.
68 руб. 3 дня, 68 шт. 4 шт. 4 шт.
от 52 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24.5 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
25 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
18 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
740 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.601

Техническая документация

IRFR4105ZPBF Datasheet
pdf, 330 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.