IRFB5620PBF

Ном. номер: 8001786965
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB5620PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB5620PBFФото 3/3 IRFB5620PBF
110 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 93 руб.
от 100 шт. — 88.70 руб.
от 200 шт. — 84.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 615 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 98 руб.
от 150 шт. — 96 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET DIG AUDIO CLASS D 200V TO220AB; Transistor Type: Power MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 15A; Resistance, Rds On: 72.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Temperature, Operating Range: -55°C to +175°C; Power, Pd: 144W
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 25 А, Сопротивление открытого канала (мин) 72.5 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
14 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,6 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
17,1 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
73 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1710 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
25 А
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
14 Вт
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Width
4.83мм
Высота
9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Серия
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
73 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 В
Число контактов
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 нКл при 10 В
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
2.642

Техническая документация

Datasheet IRFB5620PBF
pdf, 268 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB5620PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов