IRFB4115PBF

Ном. номер: 8001787029
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB4115PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB4115PBFФото 3/3 IRFB4115PBF
140 руб.
1894 шт. со склада г.Москва
от 36 шт. — 122 руб.
от 74 шт. — 117 руб.
от 150 шт. — 112 руб.
Мин. кол-во для заказа 33 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 70 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 155 руб.
от 150 шт. — 150 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 104 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
104 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
380 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
11 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5270 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.584

Техническая документация

IRFB4115PBF datasheet
pdf, 329 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB4115PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.