IRFB3306PBF

Ном. номер: 8001787031
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFB3306PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFB3306PBFФото 3/4 IRFB3306PBFФото 4/4 IRFB3306PBF
70 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 71 шт. — 63 руб.
от 150 шт. — 60.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 64 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
98 руб. 1104 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 90 руб.
от 150 шт. — 88 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 160A; Resistance, Rds On: 0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Base Number: 3306; Charge, Gate N-channel: 85nC; Current, Idm Pulse: 620A; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 230mW; Power, Pd: 230W; Voltage, Vds Max: 60V; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.2 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.66 x 4.82 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4520 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.66 x 4.82 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4520 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.842

Техническая документация

IRFS3306PBF Datasheet
pdf, 440 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3306PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов