BCP56.115

Ном. номер: 8001787149
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BCP56.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCP56.115Фото 3/4 BCP56.115Фото 4/4 BCP56.115
6 руб.
19193 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.80 руб.
от 2000 шт. — 4.60 руб.
от 4000 шт. — 4.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 844 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. 3-4 недели, 30455 шт. 5 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 11 руб.
от 150 шт. — 10.20 руб.
от 500 шт. — 9.50 руб.
65 руб. 2-4 недели, 6314 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 42 руб.
44 руб. 3-4 недели, 1435 шт. 5 шт. 5 шт.
от 390 шт. — 11.24 руб.
58 руб. 8 дней, 475 шт. 5 шт. 5 шт.
31 руб. 4 дня, 10500 шт. 1 шт. 40 шт.
от 164 шт. — 9 руб.
от 328 шт. — 7.10 руб.
от 655 шт. — 6.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Вес, г
0.218

Дополнительная информация

Datasheet BCP56.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов