STW42N65M5

Ном. номер: 8001787762
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STW42N65M5
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STW42N65M5Фото 3/4 STW42N65M5Фото 4/4 STW42N65M5
430 руб.
474 шт. со склада г.Москва
от 12 шт. — 385 руб.
от 30 шт. — 370 руб.
от 60 шт. — 353 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
670 руб. 6 дней, 442 шт. 1 шт. 1 шт.
от 3 шт. — 470 руб.
от 5 шт. — 432 руб.
от 10 шт. — 398 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 33 А; Rси(вкл): 79 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 100 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 79 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
33 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
61 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
65 нс
Серия
MDmesh M5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
79 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4650 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Material
Si
Process Technology
MDmesh V
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
650
Maximum Gate Source Voltage (V)
±25
Maximum Continuous Drain Current (A)
33
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
79@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
100@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
4650@100V
Maximum Power Dissipation (mW)
190000
Typical Fall Time (ns)
13
Typical Rise Time (ns)
24
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
65
Typical Turn-On Delay Time (ns)
61
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
20.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Package Width
5.15(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
6.54

Дополнительная информация

Datasheet STW42N65M5
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов