IRFB3307ZPBF

Ном. номер: 8001787781
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB3307ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB3307ZPBFФото 3/3 IRFB3307ZPBF
81 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 70.60 руб.
от 250 шт. — 67.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 62 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 683 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 105 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.8 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.66 x 4.82 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
38 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
79 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4750 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.64

Техническая документация

IRFB3307ZPBF datasheet
pdf, 449 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3307ZPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов