BF820.215

Ном. номер: 8001787792
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BF820.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BF820.215Фото 3/5 BF820.215Фото 4/5 BF820.215Фото 5/5 BF820.215
4 руб.
15725 шт. со склада г.Москва
от 1400 шт. — 3.30 руб.
от 3000 шт. — 3.20 руб.
от 6000 шт. — 3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1229 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
8 руб. 2218 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 6.50 руб.
от 1000 шт. — 5.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 50 мА, Коэффициент усиления по току, min 50, Коэффициент усиления по току, max 50

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Вес, г
0.036

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet BF820.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов