IRF7410TRPBF

Ном. номер: 8001788080
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF7410TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF7410TRPBFФото 3/4 IRF7410TRPBFФото 4/4 IRF7410TRPBF
39 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 139 шт. — 31.90 руб.
от 585 шт. — 30.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 122 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 942 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 50 руб.
от 250 шт. — 48 руб.
49 руб. 4 дня, 299 шт. 1 шт. 33 шт.
от 66 шт. — 44 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
271 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
13 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
91 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
8676 pF @ -10 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Вес, г
0.185

Техническая документация

Datasheet IRF7410
pdf, 180 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7410TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов