BD136-16

Ном. номер: 8001788141
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 BD136-16
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BD136-16Фото 3/6 BD136-16Фото 4/6 BD136-16Фото 5/6 BD136-16Фото 6/6 BD136-16
8 руб.
5206 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 568 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
20 руб. 786 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 13 руб.
от 150 шт. — 11.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: SOT32

Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250
Корпус TO-126-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1.5 A
Тип транзистора
PNP
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Вес, г
1.269

Техническая документация

BD138 Datasheet
pdf, 46 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD136-16
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.