BCW70.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 514 шт.
от 1200 шт. —
5.80 руб.
Добавить в корзину 514 шт.
на сумму 3 598 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Технические параметры
| Корпус | to236 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3 mm | |
| Другие названия товара № | BCW70 T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 215 at 2 mA at 5 V | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 215 at 2 mA at 5 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Brand | Nexperia | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V | |
| Configuration | Single | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 215 at 2 mA at 5 V | |
| DC Current Gain hFE Max | 215 at 2 mA at 5 V | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | |
| Height | 1 mm | |
| Length | 3 mm | |
| Manufacturer | Nexperia | |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | SOT-23-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Part # Aliases | BCW70 T/R | |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Width | 1.4 mm | |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 215 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 0.044 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 51 КБ
Datasheet BCW69,215
pdf, 312 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
