BSR33.115

Ном. номер: 8001788551
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BSR33.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BSR33.115Фото 3/5 BSR33.115Фото 4/5 BSR33.115Фото 5/5 BSR33.115
11 руб.
592 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 425 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 2-4 недели, 3810 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 76 руб.
от 50 шт. — 50 руб.
44 руб. 3-4 недели, 222 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 32 руб.
от 30 шт. — 29.80 руб.
от 100 шт. — 27.80 руб.
36 руб. 8 дней, 560 шт. 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Длина
4.6мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-90 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
PNP
Высота
1.6мм
Число контактов
3
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Вес, г
0.195

Дополнительная информация

Datasheet BSR33.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов