BCP55-16.115

Ном. номер: 8001788705
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BCP55-16.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BCP55-16.115Фото 3/5 BCP55-16.115Фото 4/5 BCP55-16.115Фото 5/5 BCP55-16.115
6 руб.
5554 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.20 руб.
от 5000 шт. — 4 руб.
Мин. кол-во для заказа 379 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. 2285 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 12 руб.
от 500 шт. — 11.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Вес, г
0.207

Техническая документация

BCP55_BCX55_BC55PA
pdf, 1151 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BCP55-16.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов