STW77N65M5

Ном. номер: 8001788829
PartNumber: STW77N65M5
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STW77N65M5
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STW77N65M5Фото 3/5 STW77N65M5Фото 4/5 STW77N65M5Фото 5/5 STW77N65M5
1 000 руб.
900 шт. со склада г.Москва
от 8 шт. — 918 руб.
от 17 шт. — 866 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 110 руб. 4 дня, 31 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 990 руб.
от 4 шт. — 900 руб.
от 8 шт. — 848 руб.
1 270 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 1 200 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 69 А; Rси(вкл): 38 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 25 В
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 69 А, Сопротивление открытого канала (мин) 38 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
20.15мм
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
38 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9800 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Вес, г
6.477

Дополнительная информация

Datasheet STW77N65M5

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.