STGP10NC60KD

Ном. номер: 8001789152
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STGP10NC60KD
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STGP10NC60KDФото 3/3 STGP10NC60KD
75 руб.
146 шт. со склада г.Москва
от 72 шт. — 62.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 1177 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 104 руб.
от 150 шт. — 101 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 65 Вт, Заряд затвора 19 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Число контактов
3
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
2.82

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet STGP10NC60KD
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов