STGP14NC60KD

Ном. номер: 8001789153
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGP14NC60KD
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STGP14NC60KD
78 руб.
62 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 61 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
94 руб. 264 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 86 руб.
от 150 шт. — 84 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

The STGP14NC60KD is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.

• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• Switching losses include diode recovery energy
• 10µs Short-circuit withstand time

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
25 A
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Число контактов
3
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
2.623

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet STGP14NC60KD
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов