STN1HNK60

Ном. номер: 8001789163
PartNumber: STN1HNK60
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STN1HNK60
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STN1HNK60Фото 3/3 STN1HNK60
13 руб.
52220 шт. со склада г.Москва
от 652 шт. — 11.20 руб.
от 1368 шт. — 10.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 368 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
130 руб. 271 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 70 руб.
от 5 шт. — 38 руб.
от 10 шт. — 27 руб.
67 руб. 3-4 недели, 3993 шт. 3 шт. 3 шт.
от 171 шт. — 22.88 руб.
19 руб. 4 дня, 8703 шт. 1 шт. 103 шт.
от 206 шт. — 16 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 400 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 8.5 Ом

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
3.5mm
Height
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh, SuperMESH
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
0.25

Дополнительная информация

Datasheet STN1HNK60

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.