STN2NF10

Ном. номер: 8001789164
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STN2NF10
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STN2NF10Фото 3/5 STN2NF10Фото 4/5 STN2NF10Фото 5/5 STN2NF10
14 руб.
6333 шт. со склада г.Москва
от 361 шт. — 13 руб.
от 750 шт. — 11.80 руб.
от 1574 шт. — 11.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 328 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
130 руб. 2-4 недели, 3207 шт. 1 шт. 1 шт.
140 руб. 33 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 80 руб.
от 5 шт. — 42 руб.
от 10 шт. — 30 руб.
74 руб. 3-4 недели, 3720 шт. 3 шт. 3 шт.
от 144 шт. — 30.77 руб.
56 руб. 6 дней, 3523 шт. 1 шт. 7 шт.
от 81 шт. — 19 руб.
от 161 шт. — 16 руб.
от 321 шт. — 15 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 0.26 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 10 нКл
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 260 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 А
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.8мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.8мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
260 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
280 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
STripFET II
Configuration
Single Dual Drain
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
260@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
10@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
10
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
280@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
3300
Typical Fall Time (ns)
3
Typical Rise Time (ns)
10
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
20
Typical Turn-On Delay Time (ns)
6
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-223
Standard Package Name
SOT
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.8(Max)
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.253

Дополнительная информация

Datasheet STN2NF10
Datasheet STN2NF10
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов