STP20NF20

Ном. номер: 8001789171
PartNumber: STP20NF20
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STP20NF20
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STP20NF20Фото 3/5 STP20NF20Фото 4/5 STP20NF20Фото 5/5 STP20NF20
25 руб.
188 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 171 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
113 руб. 4-6 недель, 1000 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 96 руб.
140 руб. 119 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 95 руб.
от 5 шт. — 62 руб.
от 10 шт. — 50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 125 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
940 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.676

Дополнительная информация

Datasheet STP20NF20

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.