STS4DNF60L

Ном. номер: 8001789192
PartNumber: STS4DNF60L
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STS4DNF60L
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 STS4DNF60LФото 3/6 STS4DNF60LФото 4/6 STS4DNF60LФото 5/6 STS4DNF60LФото 6/6 STS4DNF60L
26 руб.
3391 шт. со склада г.Москва
от 312 шт. — 23.50 руб.
от 654 шт. — 22.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 176 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
33 руб. 3554 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 28 руб.
от 250 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8

MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 4 А; Rси(вкл): 55 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 15 нКл
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 55 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.25мм
Размеры
5 x 4 x 1.25мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1030 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Вес, г
0.299

Техническая документация

STS4DNF60L
pdf, 590 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STS4DNF60L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.