BC846.215

Ном. номер: 8001789469
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BC846.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC846.215Фото 3/5 BC846.215Фото 4/5 BC846.215Фото 5/5 BC846.215
1 руб.
11613 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.83 руб.
Мин. кол-во для заказа 4951 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7 руб. 9232 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 5.20 руб.
от 1000 шт. — 4.50 руб.
5.10 руб. 3-4 недели, 60000 шт. 1 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 3.50 руб.
от 1000 шт. — 2.50 руб.
от 1500 шт. — 2.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Maximum Collector Base Voltage
80 В
Brand
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Power Dissipation
250 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4mm
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Minimum DC Current Gain
110
Вес, г
0.028

Техническая документация

BC846_SER
pdf, 115 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC846.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов