IRF1018EPBF

Ном. номер: 8001789542
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF1018EPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF1018EPBFФото 3/4 IRF1018EPBFФото 4/4 IRF1018EPBF
40 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 32.70 руб.
от 550 шт. — 31.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 119 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 398 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 51 руб.
от 150 шт. — 49 руб.
41 руб. 1-2 недели, 200 шт. 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 79 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
79
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Крутизна характеристики S,А/В
110
Температура, С
-55…+175
Корпус
TO220AB
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2290 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
110 Вт
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.83mm
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Высота
9.02мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Typical Gate Charge @ Vgs
46 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
2.673

Техническая документация

IRF1018EPBF datasheet
pdf, 449 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1018EPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов