IRF7478PBF

Ном. номер: 8001789554
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7478PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7478PBFФото 3/3 IRF7478PBF
32 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 156 шт. — 29 руб.
Мин. кол-во для заказа 142 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
98 руб. 6 дней, 333 шт. 1 шт. 4 шт.
от 42 шт. — 39 руб.
от 95 шт. — 34 руб.
от 190 шт. — 31 руб.
180 руб. 204 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 68 руб.
от 10 шт. — 53 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
44 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
26 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
21 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1740 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.17

Техническая документация

IRF7478PBF Datasheet
pdf, 128 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов