IRF7821TRPBF

Ном. номер: 8001789555
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7821TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF7821TRPBF
25 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 215 шт. — 20.70 руб.
от 903 шт. — 19.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 189 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
79 руб. 8 дней, 8140 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 58 руб.
150 руб. 5-6 недель, 59 шт. 1 шт. 1 шт.
80 руб. 3-4 недели, 7146 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 58 руб.
от 30 шт. — 53.80 руб.
от 100 шт. — 49.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.1 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+155 °C
Максимальный непрерывный ток стока
13,6 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
22с
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,3 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
9,7 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
12,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,3 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1010 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V
Вес, г
0.183

Дополнительная информация

Datasheet IRF7821TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов