IRF8313TRPBF

Ном. номер: 8001789557
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF8313TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF8313TRPBFФото 3/3 IRF8313TRPBF
23 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 221 шт. — 21 руб.
от 458 шт. — 19.60 руб.
от 961 шт. — 18.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 201 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 2-4 недели, 4778 шт. 1 шт. 1 шт.
86 руб. 3-4 недели, 6156 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 62 руб.
от 30 шт. — 57.30 руб.
от 100 шт. — 52.80 руб.
77 руб. 6 дней, 1954 шт. 1 шт. 5 шт.
от 55 шт. — 28 руб.
от 110 шт. — 25 руб.
от 220 шт. — 22 руб.
56 руб. 8 дней, 3580 шт. 20 шт. 20 шт.
от 2000 шт. — 25.12 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.5 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,7 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
8.3 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
8.5 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Максимальное сопротивление сток-исток
21,6 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
760 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.184

Дополнительная информация

Datasheet IRF8313TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов