IRFL024ZTRPBF

Ном. номер: 8001789563
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFL024ZTRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFL024ZTRPBFФото 3/3 IRFL024ZTRPBF
19 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 262 шт. — 18 руб.
от 543 шт. — 16.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 238 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
59 руб. 8 дней, 2640 шт. 20 шт. 20 шт.
от 40 шт. — 49 руб.
от 200 шт. — 37 руб.
от 400 шт. — 33.20 руб.
63 руб. 5-10 дней, 2450 шт. 1 шт. 1 шт.
68 руб. 4 дня, 170 шт. 1 шт. 16 шт.
от 64 шт. — 24 руб.
от 128 шт. — 21 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOT223, АБ

HEXFET SOT-223
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 57.5 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.7мм
Высота
1.8мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,8 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
57 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
340 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.306

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов