IRFS4010TRL7PP

Ном. номер: 8001789573
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFS4010TRL7PP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFS4010TRL7PPФото 3/3 IRFS4010TRL7PP
170 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 34 шт. — 134 руб.
от 140 шт. — 127 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
337 руб. 3-4 недели, 669 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 315 руб.
340 руб. 12 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 270 руб.
от 5 шт. — 226 руб.
от 10 шт. — 215 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO2637, АБ

MOSFET, N-CH, 100V, 190A, TO-263
Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 190 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
380 W
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Высота
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
7 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.126

Дополнительная информация

Datasheet IRFS4010TRL7PP
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов