IRFS4227TRLPBF

Ном. номер: 8001789575
PartNumber: IRFS4227TRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFS4227TRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFS4227TRLPBFФото 3/3 IRFS4227TRLPBF
140 руб.
120 руб.
1085 шт. со склада г.Москва
от 68 шт. — 109 руб.
от 142 шт. — 103 руб.
Мин. кол-во для заказа 38 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
350 руб. 3-4 недели, 648 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 260 руб.
400 руб. 8 дней, 232 шт. 2 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 62 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
62 А
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
330 W
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
4.83mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
9.65mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.067

Дополнительная информация

Datasheet IRFS4227TRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.