IRFS4310ZTRLPBF

Ном. номер: 8001789578
PartNumber: IRFS4310ZTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFS4310ZTRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFS4310ZTRLPBF
75 руб.
547 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 58 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
320 руб. 4-6 недель, 920 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 287 руб.
от 25 шт. — 284 руб.
400 руб. 3-4 недели, 684 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 299 руб.
от 100 шт. — 241 руб.
290 руб. 8 дней, 628 шт. 4 шт. 4 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263

Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
127 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
250 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
11.3mm
Forward Transconductance
150s
Height
4.83mm
Dimensions
10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
6860 pF @ 50 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.125

Дополнительная информация

Datasheet IRFS4310ZTRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.