IRL2910STRLPBF

Ном. номер: 8001789582
PartNumber: IRL2910STRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRL2910STRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRL2910STRLPBF
86 руб.
386 шт. со склада г.Москва
от 93 шт. — 78.80 руб.
от 196 шт. — 74.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 53 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 8 дней, 3705 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 230 руб.
от 50 шт. — 207 руб.
от 250 шт. — 176.04 руб.
350 руб. 2-4 недели, 71 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 259 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263

N-LogL 100V 55A 200W 0.026R D?Pak
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
55 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
49 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3700 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
2.076

Дополнительная информация

Datasheet IRL2910STRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.