IRLMS5703TRPBF

Ном. номер: 8001789588
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRLMS5703TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRLMS5703TRPBF
8 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 575 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 3-4 недели, 5331 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 41 руб.
от 30 шт. — 38.30 руб.
от 100 шт. — 35.80 руб.
42 руб. 8 дней, 1250 шт. 50 шт. 50 шт.
от 250 шт. — 23 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSOP6, АБ

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 180 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 А
Тип корпуса
Micro6
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.75мм
Высота
1.3
Размеры
3 x 1.75 x 1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
325 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7.2 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
170 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.103

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов