IRLS4030TRLPBF

Ном. номер: 8001789596
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRLS4030TRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRLS4030TRLPBF
170 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 33 шт. — 137 руб.
от 137 шт. — 130 руб.
Мин. кол-во для заказа 29 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
320 руб. 5-10 дней, 517 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

N-CH 100V 180A 3.4mOhm D2PAK
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.3 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
370 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.08

Дополнительная информация

Datasheet IRLS4030TRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов