STP100NF04

Ном. номер: 8001789662
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STP100NF04
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STP100NF04Фото 3/5 STP100NF04Фото 4/5 STP100NF04Фото 5/5 STP100NF04
60 руб.
851 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 1 шт. 1 шт. 1 шт.
150 руб. 6 дней, 144 шт. 1 шт. 2 шт.
от 15 шт. — 72 руб.
от 29 шт. — 65 руб.
от 50 шт. — 59 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 40 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 4.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 110 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.6 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
80 нс
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5100 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
STripFET II
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
40
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
120
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
4.6@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
110@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
110
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
5100@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
300000
Typical Fall Time (ns)
50
Typical Rise Time (ns)
220
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
80
Typical Turn-On Delay Time (ns)
35
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tube
Automotive
Yes
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
2.683

Дополнительная информация

Datasheet STP100NF04
Datasheet STP100NF04
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.