IRF7351PBF

Ном. номер: 8001790429
PartNumber: IRF7351PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF7351PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF7351PBFФото 3/5 IRF7351PBFФото 4/5 IRF7351PBFФото 5/5 IRF7351PBF
60 руб.
312 шт. со склада г.Москва
от 144 шт. — 55.20 руб.
от 285 шт. — 52.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 81 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
75 руб. 4 дня, 1062 шт. 1 шт. 30 шт.
от 60 шт. — 66 руб.
180 руб. 48 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 130 руб.
от 5 шт. — 94 руб.
76 руб. 8 дней, 50 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.7 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5,1 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
17 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
17,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1330 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.171

Техническая документация

Datasheet IRF7351
pdf, 282 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.