IRLML2060TRPBF

Ном. номер: 8001790491
PartNumber: IRLML2060TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRLML2060TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRLML2060TRPBFФото 3/5 IRLML2060TRPBFФото 4/5 IRLML2060TRPBFФото 5/5 IRLML2060TRPBF
9 руб.
7 руб.
17709 шт. со склада г.Москва
от 1140 шт. — 6.50 руб.
от 2390 шт. — 6.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 641 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
12 руб. 3743 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 10 руб.
от 250 шт. — 9.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 480 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 А
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4,9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
3.7 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
0,67 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
64 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
0.039

Техническая документация

IRLML2060PBF Datasheet
pdf, 204 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLML2060TRPBF

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.