STP13NM60N

Ном. номер: 8001791268
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STP13NM60N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STP13NM60NФото 3/5 STP13NM60NФото 4/5 STP13NM60NФото 5/5 STP13NM60N
63 руб.
832 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 52 руб.
от 350 шт. — 49.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 75 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
78 руб. 689 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 71 руб.
от 150 шт. — 68 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 360 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
MDmesh
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
790 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Вес, г
2.6

Техническая документация

...13NM60N
pdf, 984 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов