IRF9310PBF

Ном. номер: 8001791450
PartNumber: IRF9310PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF9310PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF9310PBFФото 3/4 IRF9310PBFФото 4/4 IRF9310PBF
84 руб.
2968 шт. со склада г.Москва
от 95 шт. — 77.20 руб.
от 190 шт. — 72.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
93 руб. 4 дня, 3474 шт. 1 шт. 7 шт.
от 26 шт. — 59 руб.
от 51 шт. — 52 руб.
от 95 шт. — 48 руб.
170 руб. 8 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 78 руб.
от 8 шт. — 68 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.99мм
Высота
1.57мм
Размеры
4.98 x 3.99 x 1.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.98мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
65 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В, 58 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5250 pF @ 15 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.162

Техническая документация

IRF9310PBF datasheet
pdf, 296 КБ

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.