IRF9333TRPBF

Ном. номер: 8001791623
PartNumber: IRF9333TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF9333TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF9333TRPBFФото 3/3 IRF9333TRPBF
20 руб.
4429 шт. со склада г.Москва
от 410 шт. — 17.80 руб.
от 861 шт. — 16.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 232 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 4 дня, 7793 шт. 1 шт. 15 шт.
от 55 шт. — 25 руб.
от 109 шт. — 22 руб.
от 217 шт. — 20 руб.
86 руб. 3-4 недели, 7075 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 70 руб.
82 руб. 4-6 недель, 63 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 69.70 руб.
80 руб. 3-4 недели, 2613 шт. 1 шт. 5 шт.
от 13 шт. — 50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19.4 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,2 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
32 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14 nC @ 4.5 V, 25 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1110 pF @ 25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.238

Дополнительная информация

Datasheet IRF9333TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.