IRF9321TRPBF

Ном. номер: 8001791624
PartNumber: IRF9321TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF9321TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF9321TRPBFФото 3/3 IRF9321TRPBF
33 руб.
7900 шт. со склада г.Москва
от 263 шт. — 30.10 руб.
от 552 шт. — 28.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 149 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 3-4 недели, 1292 шт. 1 шт. 1 шт.
88 руб. 4-6 недель, 1500 шт. 1 шт. 2 шт.
68 руб. 4 дня, 1308 шт. 1 шт. 9 шт.
от 37 шт. — 43 руб.
от 73 шт. — 38 руб.
от 145 шт. — 34 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.2 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
30с
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
185 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
11,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
65 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2590 пФ при 25 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
0.244

Дополнительная информация

Datasheet IRF9321TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.