IRF7815TRPBF

Ном. номер: 8001791709
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7815TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7815TRPBFФото 3/3 IRF7815TRPBF
53 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 103 шт. — 43.40 руб.
от 430 шт. — 41.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 2-4 недели, 737 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 121 руб.
150 руб. 4 дня, 115 шт. 1 шт. 6 шт.
от 26 шт. — 64 руб.
от 52 шт. — 56 руб.
от 103 шт. — 51 руб.
110 руб. 8 дней, 2860 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

MOSFET, N-CH, 150V, 5.1A, SOIC-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 43 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,1 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
43 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1647 пФ при 75 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRF7815TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов