IRFH5015TRPBF

Ном. номер: 8001791712
PartNumber: IRFH5015TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFH5015TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFH5015TRPBFФото 3/3 IRFH5015TRPBF
32 руб.
2557 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 136 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 3-4 недели, 8913 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 89 руб.
110 руб. 4 дня, 293 шт. 1 шт. 6 шт.
от 23 шт. — 66 руб.
от 46 шт. — 59 руб.
от 92 шт. — 54 руб.
170 руб. 8 дней, 1450 шт. 5 шт. 5 шт.
от 500 шт. — 68.14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8

Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 31 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
44 А
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
156 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
38S
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
9.4 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
31 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
36 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2300 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Вес, г
0.227

Дополнительная информация

Datasheet IRFH5015TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.